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SVG104R0NT(S)
低壓MOS功率管

SVG104R0NT(S)  N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭的LVMOS 工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及元胞結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。

該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于不間斷電源及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。

主要特點(diǎn)

  • 120A，100V，RDS(on)（典型值）=3.4mW@VGS=10V

  • 低柵極電荷量

  • 低反向傳輸電容

  • 開關(guān)速度快

  • 提升了dv/dt 能力

技術(shù)文檔
標(biāo)題 類型 大小 (KB) 日期 下載最新中文版本
SVG104R0NT(S) PDF 332 2020-12-05 SVG104R0NT(S) 說明書_1.4
封裝外形圖